Numer produktu producenta:
TSM4NB65CH C5G
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM4NB65CH C5G-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Magazyn:
10528 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12897743
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM4NB65CH C5G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
549 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
70W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-251 (IPAK)
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
TSM4NB65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM4NB65CHC5G
TSM4NB65CH C5G-DG
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STU6N65M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
543
NUMER CZĘŚCI
STU6N65M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.44
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM480P06CI C0G
MOSFET P-CH 60V 20A ITO220
DMTH8012LPSW-13
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
TSM160N10LCR RLG
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
